一、引線鍵合半導體PBGA的封裝工藝流程
1、PBGA基板的制備
在BT樹脂/玻璃芯板的兩面層壓極薄（12~18μm厚）的銅箔，然后進行鉆孔和通孔金屬化。用常規(guī)的PCB加3232藝在基板的兩面制作出圖形，如導帶、電極、及安裝焊料球的焊區(qū)陣列。然后加上焊料掩膜并制作出圖形，露出電極和焊區(qū)。為提高生產(chǎn)效率，一條基片上通常含有多個PBG基板。
2、封裝工藝流程
圓片減薄→圓片切削→芯片粘結(jié)→等離子清洗→引線鍵合→等離子清洗→模塑封裝→裝配焊料球→回流焊→表面打標→分離→最終檢查→測試斗包裝。
二、FC-CBGA的封裝工藝流程
1、陶瓷基板
FC-CBGA的基板是多層陶瓷基板，它的制作是相當困難的。因為基板的布線密度高、間距窄、通孔也多，以及基板的共面性要求較高等。它的主要過程是：先將多層陶瓷片高溫共燒成多層陶瓷金屬化基片，再在基片上制作多層金屬布線，然后進行電鍍等。在CBGA的組裝中，基板與芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA產(chǎn)品失效的主要因素。要改善這一情況，除采用CCGA結(jié)構(gòu)外，還可使用另外一種陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。
2、封裝工藝流程
圓片凸點的制備->圓片切割->芯片倒裝及回流焊->底部填充導熱脂、密封焊料的分配->封蓋->裝配焊料球->回流焊->打標->分離->最終檢查->測試->包裝。
三、引線鍵合TBGA的封裝工藝流程
1、TBGA載帶
TBGA的載帶通常是由聚酰亞胺材料制成的。在制作時，先在載帶的兩面進行覆銅，然后鍍鎳和鍍金，接著沖通孔和通孔金屬化及制作出圖形。因為在這種引線鍵合TBGA中，封裝熱沉又是封裝的加固體，也是管殼的芯腔基底，因此在封裝前先要使用壓敏粘結(jié)劑將載帶粘結(jié)在熱沉上。
2、封裝工藝流程
圓片減薄→圓片切割→芯片粘結(jié)→清洗→引線鍵合→等離子清洗→液態(tài)密封劑灌封→裝配焊料球→回流焊→表面打標→分離→最終檢查→測試→包裝。
BGA封裝流行的主要原因是由于它的優(yōu)勢明顯，封裝密度、電性能和成本上的獨特優(yōu)點讓其取代傳統(tǒng)封裝方式。BGA封裝會有越來越多的改進，性價比將得到進一步的提高，BGA封裝有靈活性和優(yōu)異的性能，未來前景廣闊。